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有色金属(冶炼部分):2014,(11):21-27
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NaCl-KCl-NaF-SiO2熔盐体系电沉积渗硅的研究
何小凤,李运刚,李智慧
(河北联合大学 唐山 063009 中国,河北联合大学 唐山 063009 中国,河北联合大学 唐山 063009 中国)
Study of Electrodeposit Ihrigizing in NaCl-KCl-NaF-SiO2 Molten Salt
He Xiao-feng,Li Yun-gang and Li Zhi-hui
(Hebei United University TangShan HeBei 063009 China,,)
摘要
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投稿时间:2014-05-04    修订日期:2014-05-13
中文摘要: 在KCl-NaCl-NaF-(SiO2)熔盐体系中,以钼为基体,以电沉积法得到的硅为硅源,在电沉积硅的同时进行渗硅,成功制备了Mo-MoSi2梯度材料。考察了电沉积给电方式、电流密度、温度、时间和脉冲形式对沉积扩散层表面形貌、相结构、断面厚度以及硅含量分布的影响。结果表明,脉冲给电比直流给电的沉积效果好。合适的脉冲沉积参数为:电流密度750~1 000 A/cm2、温度800~850 ℃、t1/t2=0.7~1.5、沉积时间120~180 min。
Abstract:Mo-MoSi2 gradient material was prepared by ihrigizing on molybdenum matrix with silicon electrodeposited in KCl-NaCl-NaF-(SiO2) molten salt as silicon source. The effects of electroplating mode, current density, temperature, electrolytic deposition time and pulse form on surface microstructure, phase structure, and depth and silicon content distribution of cross section of coating were investigated. The results show that the coating quality electrodeposited by pulse form is better than that by direct current. The optimum pulse deposition parameters include current density of 750~1000 A/cm2, temperature of 800~850 ℃, t1=t2=0.7~1.5, and electroplating duration of 120~180 min.
文章编号:     中图分类号:    文献标志码:
基金项目:国家自然科学基金资助项目(50474079)
引用文本:
何小凤,李运刚,李智慧.NaCl-KCl-NaF-SiO2熔盐体系电沉积渗硅的研究[J].有色金属(冶炼部分),2014(11):21-27.
He Xiao-feng,Li Yun-gang,Li Zhi-hui.Study of Electrodeposit Ihrigizing in NaCl-KCl-NaF-SiO2 Molten Salt[J].Nonferrous Metals (Extractive Metallurgy),2014(11):21-27.

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